EMI 64Mbit MRAM芯片国产存储替代

Everspin、ISSI的MRAM交期持续拉长，部分料号询价周期以季度计，一颗小容量存储芯片常常卡住整机量产。EMI的64Mbit MRAM芯片，正是针对这一缺口的国产替代方案。
 

EMI 64Mbit MRAM芯片为自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），由两颗32Mb双堆栈裸片组成，通过2×CS#/1×CLK配置实现4bit I/O访问。

-接口：标准串行外设接口，支持Mode 0/Mode 3；SDR 108MHz，DDR 54MHz

-XIP：支持就地执行读写

-保护：WP#引脚写保护+块锁定保护

-识别：唯一ID+用户可写序列号

-寄存器：每片独立的非易失状态、配置、序列号、扩展512字节、扩展字节保护寄存器及设备ID
 

EMI 64Mbit MRAM芯片封装为小尺寸24-BGA，与同类非易失产品兼容，Layout基本沿用；工作温度覆盖工业级-40°C~85°C。上下电需注意：Vcc跌落或关断期间CS1#、CS2#必须跟随Vcc，建议在Vcc与CS#之间加10KΩ上拉。每片在tPU结束后需执行一次软件复位，正常读写须在tSRST之后开始；高温回流焊后首次上电，配置寄存器至少设置一次。
 

对寻找Everspin替代的团队，EMI的价值不止于供货：MRAM芯片免后备电池与超级电容，掉电即保持；读写接近SRAM，却具备Flash的非易失性，适合参数存储、代码XIP、掉电日志等场景。深圳英尚微电子原厂代理EMI，提供存储芯片选型与技术支持，如果您有产品需求，欢迎随时来电联系。

本文关键词：MRAM芯片
 

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