国产替代ISSI SRAM IS62WV102416兼容芯片

IS62WV102416EALL/BLL是低功耗、16M位静态ram由16位1024K字组成。它是采用的高性能CMOS制造技术。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，生产出高性能、低功耗的器件。当为高电平或CS2为低电平时或者当为低电平时，CS2为高电平，两者皆是和为高电平时，设备处于待机状态可以降低功耗的模式CMOS输入电平下降。通过使用芯片提供了简单的存储器扩展使能和输出使能输入。低电平有效写使能控制的写入和读取记忆。数据字节允许高位字节和低位字节(访问。IS62WV102416EALL/BLL和封装在JEDEC中标准48引脚BGA(6毫米x 8毫米)。
 

ISSI SRAM IS62WV102416兼容芯片关键特征

①1Mx16低压，超低功耗CMOS静态RAM

②高速访问时间:45ns、55ns

③CMOS低功耗操作

–运行(典型):10.8毫瓦(1.8伏)，18毫瓦(3.0伏)

–CMOS待机模式(典型):48瓦(1.8伏)，90瓦(3.0伏)

④TTL兼容接口电平

⑤单电源

–1.65伏—1.98伏Vdd(62/65WV102416EALL)

–2.2V-3.6V Vdd(62/65vv 102416 ebll)

⑥高位和低位字节的数据控制

⑦工业和汽车温度支持

本文关键词：ISSI SRAM
 

上一篇文章：中微半导低功耗BAT32单片机

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