DRAM供需缺口持续扩大

近期全球DRAM市场供需格局持续收紧，行业涨价趋势愈发明确。投行高盛最新行业预测显示，全球DRAM产品供需缺口将持续扩张，本年度缺口规模预计达5.0%，明年将进一步攀升至5.9%，较此前预估数据大幅上调，行业供不应求态势持续加剧。
 

本轮DRAM价格走高的核心诱因，是AI产业爆发带动的产能结构重构。随着AI服务器算力需求井喷，高带宽内存HBM、大容量服务器专用DRAM需求持续激增，大量原有DRAM产能被倾斜调配至HBM生产线，直接导致消费级、通用级DRAM产能供给收缩，全品类DRAM现货供应逐步趋紧。高盛数据显示，明年全球HBM市场规模将实现翻倍增长，算力硬件的高速迭代，进一步推动存储厂商加码HBM产能布局。
 

对比2023年初DRAM价格触底阶段，当前市场主流产品容量、性能大幅提升。彼时市场流通基准为DDR4 8Gb产品，如今行业现货定价标杆已更新为DDR5 16Gb规格，主流存储容量翻倍，工艺精度、传输速率全面升级，叠加供需失衡格局，为DRAM价格持续上行提供坚实支撑。

本文关键词：DRAM
 

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