伟凌创芯8Mbit异步快速静态SRAM存储器

在高密度、高速率的半导体系统应用场景中，SRAM凭借稳定的读写性能、静态存储优势，成为各类工业及商用电子设备的核心存储器件。伟凌创芯推出的8Mbit异步快速静态SRAM存储器，依托成熟的CMOS先进工艺打造，适配各类高速电路运行需求，凭借优异的综合性能，异步SRAM广泛适配高密度高速电子系统的搭建与升级。
 

EMI异步SRAM型号EMI508WF16VB-15是一款8，388，608位高速静态随机存取存储器组织为512K16位的字。它使用16个公共输入输出线并具有输出使能引脚操作速度比读取时的地址访问时间更快循环。该设备是使用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术和专为高速电路技术而设计，摒弃复杂的运行逻辑，全程支持完全静态操作，无需时钟信号辅助运行，特别适用于高密度高速系统应用。
 

在运行时序方面，异步SRAM设备输出使能引脚响应速度优异，运行效率优于常规地址访问读取速度。所有读周期时序均以有效地址为基准切换，可有效规避读写周期内的总线竞争问题，保障DQ常规应用场景下的数据传输稳定性，大幅降低设备运行故障概率。

 

 

①异步SRAM快速访问时间:15ns

②CMOS低功耗待机模式

③宽电源电压范围:1.65V至3.6V

④TTL兼容输入和输出

⑤完全静态操作

⑥三种状态输出

⑦数据字节控制(x8、x16模式)

⑧标准44TSOP2封装

⑨工业运行温度

⑩异步SRAM符合ROHS标准
 

凭借高速、低耗、高稳定、强兼容的综合优势，这款伟凌创芯异步SRAM存储器主打高密度高速系统应用，可广泛应用于工业控制设备、智能嵌入式系统、通信电子设备、车载电子模块等场景，是高端电子系统存储升级的优选器件。
 

作为伟凌创芯的全权授权代理，深圳市英尚微电子有限公司连接原厂资源，专注于存储芯片、半导体产品的供应与解决方案设计。我们的使命是超越单纯的元件供应，凭借专业的行业经验与技术支持团队，为客户提供最佳的存储选型设计方案，如您有需要，欢迎来电咨询。

本文关键词：SRAM
 

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