高密度spi psram内存扩展方案

PSRAM全称为Pseudo Static Random Access Memory，即伪静态随机存储器。它采用DRAM的1T1C（一个晶体管加一个电容）工艺架构，却实现了类似SRAM的接口易用性。与传统SRAM的6T架构相比，spi psram在同等芯片面积下能够提供更高的存储密度，单位成本也更具竞争力。
 

①SRAM：速度极快、延迟低，但集成度有限、单位成本偏高

②DRAM：密度高、成本低，但需要外部控制器定期刷新以维持数据

③PSRAM：兼具SRAM的接口便捷性与DRAM的高密度优势
 

英尚代理的VTI164LA16LM是一种高密度、低功耗的spi psram内存扩展解决方案，它是一款典型的伪静态随机存取存储器，spi psram内部架构虽类似于SDRAM，但对外接口却极为简化，这个spi psram型号通过将刷新电路集成于芯片内部，实现了自刷新（Self-Refresh）功能，无需依赖外部控制器即可自主维持数据完整性。
 

①spi psram容量：64Mb（组织方式为4M×16）

②工作电压：1.7V~1.95V

③访问速度：支持60ns/70ns两种速度等级

④spi psram封装形式：48BGA

本文关键词：spi psram
 

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