新型存储技术MRAM/ReRAM/PCM的逻辑
2026-03-10 10:05:04
为了突破传统存储的瓶颈，新型非易失性存储技术正在崛起，包括MRAM（磁阻随机存取存储器）、ReRAM（阻变随机存取存储器）和PCM（相变存储器）。这些技术凭借1T1R/1S1R结构和原生持久化特性，正逐步重塑存储层级，展现出以下优势：
制程同步性：以MRAM为代表的BEOL（后端工艺）技术可随逻辑制程向5nm及以下持续演进，填补了嵌入式存储的空白。这意味着新型存储能够与先进逻辑工艺同步发展，避免“存储墙”问题的加剧。
性能跨越：新型存储具备高速读写、无需预擦除等特点，显著缩小了内存与外存之间的性能鸿沟。例如，MRAM的读写速度接近SRAM，同时具备非易失性，能够在断电后保留数据。
形态多样化：除了已量产的MRAM和ReRAM，行业正积极探索SOM（仅选择器存储）等“无晶体管”超高密度方案。这些创新不仅提升了存储密度，还进一步降低了功耗和成本。
本文关键词：MRAM
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