SRAM和HBM有何不同？

　　SRAM（（Static Random Access Memory）又被称为静态随机储存器，只要保持通电，其中存储的数据就能永久保存，但是一旦断掉电源，存储的数据也会因此消失，属于挥发性记忆体。而HBM（High Bandwidth Memory）属于高频宽记忆体，是一种进阶型的DRAM，通过3D堆叠+矽穿孔（TSV）技术，把多层记忆体堆叠在一起，再与逻辑晶片以超宽汇流排连接。

 

　　SRAM的优点是速度快、延迟低，无需刷新数据就可以稳定保存。相对DRAM功耗低，适合高速短暂存储的应用需求。缺点是面积较大，成本比较高，不适合大容量的存储需求。

 

　　HBM的优点是频宽高，相比传统的DRAM存储器功率更低，容量也要比SRAM大很多，HBM的延迟会低于传统的DRAM，但是要高于SRAM。缺点是HBM的制程难度高，成本也相对更高。HBM适用于高效高速的运算核心器件存储，例如AI GPU、AI训练、推论加速器等。

 

　　总之，需要什么类型的存储器要根据个人的应用需求来选择，英尚作为知名的电子元器件与存储解决方案的供应商，可以提供丰富的产品选择和选型方案设计，如果您有需求，欢迎随时来电联系。

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