英尚代理的Everspin MRAM磁性随机存储器有何特点

MRAM（磁性随机存储器）作为一种非易失性存储解决方案，正以其独特优势逐步改变关键任务领域的存储架构。英尚微电子所代理的Everspin MRAM，凭借卓越的技术特性，为众多高要求应用存储提供了理想选择。
 

 

MRAM（磁性随机存储器）利用磁阻效应存储数据，兼具SRAM的高速读写性能与Flash的非易失特性。与传统存储器相比，它无需电力即可永久保存数据，且具备近乎无限的读写寿命，有效解决了闪存写入速度慢、耐久性有限以及SRAM需后备电池等问题。
 

以Everspin典型型号MR256D08B为例，这款256Kb×8器件支持宽电压范围，采用小型BGA封装，可单芯片替代闪存、SRAM、EEPROM等多类存储器，降低设计复杂度与物料成本。MRAM磁性随机存储器支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08B提供SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。MRAM磁性随机存储器中的数据在断电后仍可安全保存超过20年，且内置低压抑制电路能在意外断电时自动写保护，防止数据损坏。
 

MRAM磁性随机存储器MR256D08B是必须满足以下要求的应用的理想存储解决方案。永久存储和快速检索关键数据和程序。MR256D08B采用8 mm x 8 mm、48引脚球栅阵列(BGA)小尺寸封装，具有0.75毫米球心。MR256D08B在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。Everspin MRAM磁性随机存储器提供的工作温度是0至+70°C。

Everspin的并行接口MRAM（如8位/16位型号）提供35/45ns的访问时间，与SRAM时序完全兼容，可实现快速数据存取。其无限次读写耐久性远超闪存与EEPROM，适用于频繁写入的场景。Everspin MRAM具备宽广的工作温度范围与强抗干扰能力，符合RoHS标准，已在航天、车载、能源等领域经过超过15年的成熟应用验证，技术可靠性备受认可。
 

英尚微电子作为Everspin的授权合作伙伴，不仅提供全系列MRAM磁性随机存储器产品，还能针对实时传感器处理、数据记录、航空电子及空间系统等应用，提供适配的技术支持与解决方案。借助Everspin MRAM的高性能与高可靠性，企业可有效提升系统响应速度、延长设备寿命，并降低维护成本。

本文关键词：MRAM,Everspin
 

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