3D堆叠内存芯片SRAM与DRAM封装技术的特性
2025-10-10 09:47:14
SRAM静态随机存取存储器通常直接集成在计算芯片内部，以实现高速数据访问，但其容量往往受限。近年来，通过3D堆叠技术的引入，SRAM在保持高集成度的同时实现了容量的有效提升。动态随机存取存储器（DRAM）则在封装形式上具有更丰富的方案。从历史发展来看，DRAM普遍采用双列直插内存模块（DIMMs）进行封装，该形式支持模块化扩展，为用户提供了灵活的配置选择。
如今，
DRAM封装技术更加注重低功耗和高带宽的性能需求。例如，低功耗双倍数据速率内存（LPDDR）在保持相对较低功耗的同时，实现了较高的传输速率——其每引脚带宽可达10 Gbps，显著高于传统DDR内存的5.6 Gbps。然而，LPDDR通常需直接焊接到主板上，因此在获得性能与能效提升的同时，牺牲了类似DDR DIMMs的可插拔与可重构能力。
高带宽内存（HBM）则通过多个存储裸片的3D堆叠和硅中介层（Interposer）互连，进一步提升了带宽性能。但其制造工艺复杂，对技术的要求极高，导致生产良率偏低。因此，HBM的成本远高于DDR DRAM，同时受制于物理和工艺限制，其单封装容量仍难以实现太字节（TB）级别，使得超大容量片上内存配置在目前仍不具可行性。
这些封装技术的创新为不同应用场景提供了多样的性能与成本权衡选择。而在片上内存方面，增益单元嵌入式DRAM（GC-eDRAM）结合了DRAM的高密度特性与SRAM的易于集成优势，仅需在数据保留时间方面作出一定妥协，为高集成度与带宽需求的嵌入式系统提供了一种有潜力的解决方案。
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本文关键词：SRAM,DRAM
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