多家布局22nm STT-MRAM

    目前台积电、英特尔、三星、格芯、联电等各大芯片厂商对于MRAM的布局，研发以及生产都在如火如荼地展开。
 
    英特尔也是MRAM技术的主要推动者，该公司采用的是基于FinFET技术的22nm制程。2018年底，英特尔首次公开介绍了其MRAM的研究成果，推出了一款基于22nmFinFET制程的STT-MRAM，当时，该公司称，这是首款基于FinFET的MRAM产品，并表示已经具备该技术产品的量产能力。
 
    2019年，Everspin与晶圆代工厂格芯合作，试生产28nm1GbSTT-MRAM产品；2020年3月，双方宣布已将联合开发的STT-MRAM器件的制造，扩展至12nmFinFET平台，通过缩小制程有助于双方进一步拉低1Gb芯片成本。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。
 
    2022年6月，瑞萨宣布已开发出用于STT-MRAM测试的电路技术使用22nm工艺制造的具有快速读写操作的芯片。
 
    2018年联电与Avalanche Technology宣布建立合作伙伴关系，共同开发和生产MRAM，以取代嵌入式闪存。2022年，联电宣布与Avalanche Technology合作推出22纳米STT-MRAM，将应用于航天等领域。