闪存NOR FLASH介绍

    NOR FLASH采用“或非”逻辑门电路，可被电子删除和重编电子非易失性计算机存储媒体。
 
    闪存(Flash)存储单元为三端设备，即源极、漏极和栅极。由于栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，浮置栅极中的电荷不会泄漏，因此闪存具有记忆力。
 
    NOR闪存擦除数据仍基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅底层），但在写入数据时采用热电子注入方法（电流从浮置栅极到源极）。在NOR闪存中，每个存储模块的一端连接到源极，另一端连接到类似NOR门的位线。
 
    NOR的XIP特性，应用程序可以直接在Flash闪存中运行，无需在系统RAM中查看代码。NOR传输效率高，1-4MB体积小时成本效率高，但写入和擦除速率低，对其特性影响很大。
 
    NOR FLASH属于非易失性存储，NOR读取速度快，适用于可擦除写入，作为代码存储的关键器件。
 
    NOR作为原始代码的载体，广泛应用于各个智能行业。主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽车电子、可穿戴设备、安全监控、人工智能等方面。其中，智能可穿戴、AMOLED屏幕、手机摄像、lot设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实等都有很大的增长空间。


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