为啥说2017年是国产存储器发展元年？

       近日从中国半导体协会主办、赛迪顾问承办的“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业创新大会”得知，2017年有望成为国产存储器大规模主流化发展元年。　
       3D NAND Flash、DRAM是智能手机必需的存储芯片，中国企业一直没加入这两个主要市场的竞争行列。从2017中国半导体市场年会中得知，这一状况有可能会改变。目前国内存储器芯片主要参与者有三个，分别是福建泉州的晋华存储、湖北武汉的长江存储以及紫光集团。其中，长江存储初期定位发展Flash 产品，后期将扩展DRAM产品，晋华存储项目定位DRAM产品。紫光集团除直接入股长江存储外，还将在不同地点布局DRAM、Flash产品。
      赛迪顾问人士透露，在两年的准备期之后，2017年上述项目将进入实质性项目建设阶段。长江存储是目前进展最快的一方，长江存储本身在Flash领域已经有较丰富的经验，有望率先实现量产。晋华项目已经开工建设，项目运营由经验丰富的台湾台积电负责，技术则委托联电进行开发。紫光集团目前在南京开工新建Flash产线。

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