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MCU外设芯片MRAM持久储存数据比闪存更长

2022-12-05 09:32:27

MCU微控制器作为一个需要集成的CPU,SRAM,最常见的存储方式主要包括非易失性存储器及其专用外设芯片eDRAM,SRAM易失性存储器,闪存,EEPROM非易失性存储器,其中集成闪存是MCU主要特点。随着时间的推移,闪存逐渐开始成为一种约束MCU提高性能、降低功耗的瓶颈之一。
 
MRAM数据存储时间比闪存更长,MRAM与其他新兴的非挥发性技术相比,编程人员可以灵活地应用内存。工程师不再需要将程序代码限制在内NOR大小或限定数据只能在SRAM的大小,不仅优化了设计,而且通过让同样的基于MRAM的MCU在多种应用中,可以为一些客户降低成本。
 
MRAM技术是STT-MRAM,做为MRAM一种变体,其周围电子的自旋会影响MTJ极性。以其他方式的MRAM相比,STT-MRAM具有低功耗和进一步扩展的能力,虽然STT-MRAM具有与DRAM和SRAM相当特性,例如电源关闭,信息也不会丢失,和DRAM一样可随机存取;可擦写频率超过1015次,和DRAM及SRAM相当,大大超过了105次闪存等,但它似乎也可以在10nm完成以下过程,5nm引入技术节点STT-MRAM作为最后一级(L3)缓存存储器的可行性,所以很多人认为,STT-MRAM会改变“存储器(硬盘和NAND闪存)是非易失性、更高层次的内存(DRAM及SRAM)为易失性”传统的计算机架构,是领先的存储技术之一。


本文关键词:SRAM,MRAM,DRAM

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