Microchip具有SDI和SQI接口串行SRAM存储器23LC512

Microchip型号23LC512容量512Kbit串行SRAM，与现在许多MCU系列的串行外设接口端口连接。它还可以通过使用在固件中正确编程以匹配SPI协议的离散I/O线与没有内置SPI端口的微控制器连接。23LC512还能够在SDI/SQI高速SPI模式下工作。
 
Microchip微芯23LC512存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)加上单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过芯片选择(CS)输入控制对器件的访问。如果应用需要更快的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该器件还支持对存储器阵列的无限制读写。23LC512采用标准封装，包括8-引线SOIC、PDIP和先进的8引线TSSOP。更多产品相关信息可咨询英尚微电子。
 
特征：
•SPI兼容总线接口：
-20MHz时钟频率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技术：
-读取电流：3mA，5.5V，20MHz
-待机电流：+85℃时为4μm
•无限的读写周期
•零写入时间
•64Kx8位组织：
-32字节页面
•读取和写入的字节、页和顺序模式
•高可靠性
•支持的温度范围：
-工业(I)：-40℃至+85℃
-汽车(E)：-40℃至+125℃
•符合RoHS标准
•8引脚SOIC、TSSOP和PDIP封装

串行SRAM是一种独立的易失性存储器，它提供了一种简单且廉价的方式来为您的应用程序添加更多RAM。这些 8 引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型应用的理想选择职能。支持 SPI、SDI 和 SQI™ 总线模式。

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