EMI516NF16TM-10I替换IS61WV102416DBLL-10TLI并口SRAM 16M

ISSI为汽车、通信、数字消费、以及工业和医疗等主要市场，设计开发和销售高性能集成电路的翘楚，主要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。
 
IS61WV102416DBLL-10TLI是容量16M的位静态SRAM，位宽1M x 16位。采用高性能CMOS技术制造。此工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的器件。 使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展内存。采用JEDEC标准48引脚48FBGA封装。
 
伟凌创芯国产SRAM芯片EMI516NF16TM-10I是一款容量16Mbit异步快速SRAM，位宽8*1M字位。采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造，是一款专为高速电路技术而设计。特别适用于高密度高速系统应用。
 
EMI516NF16TM-10I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。快速访问时间10ns，电压3.3V，具备TTL兼容输入和输出，完全静态操作，无需时钟或刷新，三态输出，封装采用48FBGA。此款EMI516NF16TM-10I替换IS61WV102416DBLL-10TLI，代理英尚国际有限公司支持提供样品测试及技术支持。
 
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整体解决方案，提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
 
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