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Everspin一级代理4Mb串口MRAM存储芯片-MR25H40CDF

2022-03-04 14:24:25

Everspin科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商,自从Everspin第一款产品进入市场,由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性,在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用,应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强大、最迅速的基础。
 
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。位宽512K x 8。MR25H40CDF拥有35ns的读/写周期(无写入延迟),以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用,是理想的内存解决方案。
 
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同,MR25H40CDF系列的读取和写入都可以在内存中随机发生,写入之间没有延迟。
 
MR25H40CDF系列可在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。MR25H40 (40MHz) 提供工业级(-40℃至 +85℃)、扩展级(-40 至 105℃)和 AEC-Q100 1 级(-40℃ 至 +125℃)工作温度范围选项。采用 5 x 6mm、8引脚DFN封装。引脚排列与串行 SRAM、EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素。everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及技术支持。
 
MR25H40系列
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ / Tray MOQ / T&R
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V Industrial 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v Extended 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v Extended 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v Industrial 1140 4000
 

本文关键词: Everspin,MR25H40CDF,MRAM

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