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今年DRAM 无新增产能 NAND Flash价格先降后升

2018-01-26 15:33:47

2017 年一整年,整体半导体产业不论DRAM 或NAND Flash都是一个黄金好年,那么2018 年能不能持续荣景呢?
 
综合目前业界专业人士的看法,DRAM 热度有望持续下去,供不应求状况还未改善,但NAND 部分恐怕就没有那么乐观了,由于大厂3D NAND 良率大幅度提升,供给过剩问题已经提前在2017 年第四季爆发,销售额恐怕至少在2018 年上半年都不会太理想,最快也是2018 年第二季达到供需平衡,第三季再度供给吃紧,到时产业由悲转喜。

                                 
 
首先就DRAM大方向来说,2018 年在Fab 端没有新增产能,顶多就是制程从2X 奈米推进到1X 奈米或是1Y 奈米,带动位元的成长。市调单位集邦科技更是直接表示,2018 年各DRAM 厂资本支出计划都比较保守,新增投片量约5~7%,这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。
 
同时集邦也提到,随着智能手机记忆体容量升级,以及伺服器、资料中心需求量大,2018 年DRAM 需求将成长约20.6%,供给端方面,估计将提升19.6%,因此,2018 年整体DRAM 产业供需持续吃紧,也因此,2018 年各大DRAM 厂商,包括三星、美光,SK 海力士,甚至连台湾的南亚科、华邦电持续稳定获利不成问题。
 
但目前在DRAM 端有需要注意与观察的一点,首先,虽然2018 年整体DRAM 端无新增Fab 的产能出来,但是三星有计划要在平泽(Pyeongtaek)兴建第二座12 吋厂,SK 海力士也将在无锡兴建第二座12 吋厂,这两大厂的新厂产能最快2019 年才会开出。
 
但是韩媒在不断的报导,三星将在DRAM 端持续扩大产出的消息,不断动摇市场对DRAM 产业的信心。韩媒特意提到,三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑,二楼无尘室差不多完工,这些空间将投入DRAM 的扩建,但是据记忆体业者的透露,这两层楼中,有一层是投入3D NAND 的扩产,至于另外一层楼中,有意置入月产能五万片的DRAM 产线,只是设备商也透露,三星还没有下单采购设备,因此所谓新增五万片的DRAM 产能想在2018 年就开出,真的不太可能。
 
本文关键词:DRAM     NAND 

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