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Everspin首款Gbit MRAM芯片

2018-05-10 10:34:35

Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片,并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息,象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中,有越来越多的持久型内存开始出现显著进展。
 
Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取,最终得以在固态硬盘(SSD)与闪存(flash)储存数组中找到取代DRAM的出路。该加速卡采用Everspin推出作为开放来源的特殊Windows和Linux驱动程序,提供每秒700万次I/O作业以及低至2微秒(us)延迟的性能。
 
至少有另外一家公司将为Everspin的加速卡提供第二个供应来源。该公司表示目前已经有一家客户采用了这款芯片,并计划让产品在一年之内投产。
 
首款采用3DXP内存的SSD正开始出货,使英特尔(Intel)率先在主流储存市场推出新型内存芯片。Western Digital (WD)承诺在2020年以前推出电阻式随机存取内存(RAM),而在去年底,Spin Transfer Technologies (STT)表示将在明年出样Gbit级的产品,这让Everspin又多了一家MRAM竞争对手。
 
Everspin资深营销副总裁Patrick Patla指出:“将来,所有的记忆都将会是持久型的——时间可能是在5-7年后或更早,但预计具有最高容是的最高性能内存才胜出。” 20170821-MRAM-1Everspin基于MRAM技术的nvNitro加速卡 (来源:Everspin)
 
Everspin营销总监Joe O'Hare表示,每一种新的内存类型都可能让自己所处的市场位置改观,但截至目前为止,MRAM最接近DRAM的性能。“新的接口标准联盟将会巩固这样的市场机会,因为他们让你不必使用特定的持久型内存类型,以及处理其各自不同的延迟问题。”
 
虽然GenZ接口预计至少要两年后才可能商用化,但Everspin在FMS大会中先行展示针对该界面的原型加速卡。同时,它也将在IBM今年稍晚推出的Power9系统上支持其OpenCAPI。
 
Everspin的Gbit芯片采用DDR4接口,并以Globalfoundries的28nm工艺技术制造。该代工厂授权这项技术,为采用其22nm FD-SOI工艺的客户提供嵌入式MRAM选项,预计将自明年开始。
 
该加速卡采用40nm 256M芯片,搭载PCIe Gen 3总线,支持NVMe接口,并将在今年年底提供U.2或半高、半长规格的PCIe卡。 迄今为止,Everspin已经出货了7,000多万张加速卡了,主要用于各种企业储存、工业和其他市场的130nm嵌入式内存。

本文关键词:everspin

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