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三星DRAM18nm和美光17nm相继出现良率问题

2017-04-06 14:07:23

      自 2016 年中开始,DRAM 存储器供货不足,缺货口不断加大,造成价格飙升的情况,如今又产生了一个新变数。三星是DRAM 存储器市场的龙头,在 2017 年 2 月中旬陆续召回部分序号的 18 纳米工艺的存储器模组,并且再重新出货给客户之后,依然发现存储器出现瑕疵的状况。不仅如此,此事件还影响了首屈一指的 PC 大厂在 DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。而且不止是三星出现这样的情况,连美光 (Micron) 的 17 纳米工艺 PC DRAM 存储器模组都发生了相似的情况,如此也为 2017 年 DRAM 市场的供货状况与价格变化再投下一个不确定因素的炸弹。
     根据供应链消息称,市场本来预计在进入 2017 年第 2 季之后,因为有三星 18 纳米的 PC DRAM 存储器模组与美光 17 纳米的 PC DRAM 存储器模组相继出货,供货紧张的状况应该可以得到缓和。但是,三星继上次召回有瑕疵的 18 纳米工艺的 PC DRAM 存储器模组之后,近期再次出货的情况依然没有改善,还因此造成 了PC大厂在 DPPM ( 每百万台的不良率) 有大幅提升的情况。而除了三星之外,美光的 17 纳米工艺 PC DRAM 存储器模组也遇到了类似的状况。甚至以目前出货给客户的样本来看,良率还低于 50% 以下。
     据了解,由于美光本来许诺在 2017 年第 2 季给客户的 PC DRAM 存储器模组中,会包含部分的 17 纳米工艺产品。如今,在 17 纳米工艺的 PC DRAM 存储器模组良率有问题的情况下,美光又无法再提供 20 纳米工艺的产品给客户,这也使得美光陷入两难的状况。
     美光在 PC DRAM 存储器模组上分为两个系列,Rexchip 系列的产品,目前工艺已经由 25 纳米工艺推进到17纳米,而 Inotera 系列则仍旧停留在 20 纳米的工艺上。而目前美光的 Rexchip 系列 17 纳米工艺产品,在设计与工艺上都与前一代的 25 纳米工艺产品有很大的差别。因此,良率不高一直在美光预料之中。只是,美光原本预估,只要 Rexchip 系列 17 纳米工艺产品可以达到 50% 以上的良率,则从晶圆切下来的裸晶晶粒数量就已经能够达到平衡成本的需求。因此,当时美光才会坚持生产 17 纳米工艺产品。不料,如今连 50% 的良率都很难达到。
     供应链知情人士指出,近期不论是三星或美光在 PC DRAM 存储器模组发生的状况,除了凸显出市场持续供货紧张的情况之外,也说明了 DRAM 工艺在进化至 20 纳米以下之际,连过去工艺转换都一直非常顺畅的三星,也同样会出现问题的情况下,显然工艺转换难度颇高。在目前 PC DRAM 存储器模组三大厂中,只有SK 海力士还没有转换工艺至 20 纳米以下的工艺。虽然,看似在时程上落后于竞争对手,但实际来说却是现阶段市场上最获利的公司。
      目前DRAM 存储器的价格变化,因为近期出现价格下滑的情况,也开始引起市场人士的关注,担心这是否为 DRAM存储芯片变化的开始。市场人士表示,在市场供货吃紧的情况下,DRAM 价格未来一到两季仍呈现上涨的局面。而近期会出现下滑的情况,主要是在现货价的部分,因为过去的过高涨幅,使得现货价已经超越合约价,近期势必有所调涨整之外,因为 DDR3 的供应随着系统转换到 DDR4 的规格上,使得 DDR3 的价格有出现下滑的情况。不过,绝大多数的 DDR4 价格依旧不断看涨。

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