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ISSI芯成SRAM存储器72Mb 2Mx32 IS61LPS204832B

2017-07-07 15:24:39

IS61LPS204832B 是一款容量72MB 位数32位，具有高速，低功耗同步静态RAM设计，

IS61LPS204832B用于通信和网络的高性能SRAM内存,先进的CMOS技术，器件集成了一个2位突发计数器，高速SRAM内核和highdrive,能力输出到单个单片电路,同步输入通过寄存器控制,一个正边沿触发的单时钟输入。

特征

•内部自定时写周期

•单字节写入控制和全局写入

•时钟控制，注册地址，数据和

控制

•使用MODE输入进行突发序列控制

•三芯片使能选项，可实现简单的深度扩展

并处理流水线

•通用数据输入和数据输出

•取消选择时自动关机

•单周期取消选择

•休眠模式，用于低功耗待机

•用于PBGA封装的JTAG边界扫描

• 电源

LPS：Vdd 3.3V（+ 5％），Vddq 3.3V / 2.5V（+ 5％）

VPS：Vdd 2.5V（+ 5％），Vddq 2.5V（+ 5％）

VVPS：Vdd 1.8V（+ 5％），Vddq 1.8V（+ 5％）

•JEDEC 100引脚TQFP，119球PBGA和

165球PBGA封装

•无铅可用

同类型号参考

Density	org.	Part Number	Vcc	VccQ	Speed(Mhz)	tKQ(ns)	Pkg(Pins)
72Mb	2Mx32	IS61LPS204832B	3.3V	2.5/3.3V	200	3.1	QFP(100)
72Mb	2Mx16	IS61LPS204836B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61LPS409618B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VPS204836B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61VPS409618B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VVPS204836B	1.8V	1.8V	166	3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61VVPS409618B	1.8V	1.8V	166	3.5	IS61VVPS409618B
72Mb	2Mx36	IS61VVF204818B	3.3V	2.5/3.3V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61LF409618B	3.3V	2.5/3.3V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VF204836B	2.5V	2.5V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61VF409618B	2.5V	2.5V	133,177	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61VVF204836B	1.8V	1.8V	117	7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61VVF409618B	1.8V	1.8V	117	7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NLP204836B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61NLP409618B	3.3V	2.5/3.3V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NVP204836B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	4Mx18	IS61NVP409618B	2.5V	2.5V	250,200 ,166	2.6,3.1,3.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS61NVVP204836B	1.8V	1.8V	250,200 ,166	2.6,3.1	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	4Mx8	IS61NVVP409618B	1.8V	1.8V	250,200,166	2.6,3.1	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	2Mx36	IS61NVF204836B	2.5V	2.5V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx18	IS61NVF409618B	2.5V	2.5V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS61NVVF204836B	1.8V	1.8V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165),BGA(119)
72Mb	4Mx8	IS61NVVF409618B	1.8V	1.8V	133,117	6.5,7.5	QFP(100),BGA(165,119)
72Mb	2Mx36	IS64LPS204836B	3.3V	2.5/3.3V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	4Mx18	IS64LPS409618B	3.3V	2.5/3.3V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	2Mx36	IS64VPS204836B	2.5V	2.5V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)
72Mb	4Mx8	IS64VPS409618B	2.5V	2.5V	166	3.5	QFP(100),BGA(119),BGA(165)

性价比更优的产品型号参考

Density	Org.	Part number	Operating	VDD(V)	tCYC	Access Time	Burst	Clock	Package
72Mb	2Mx36	S7A643630M	SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7A641830M	SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7B643635M	FT	2.3~3.5v	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7B641835M	FT	2.3~3.5v	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7N643631M	NT_SPB	2.3~3.5v	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7N641831M	NT_SPB	2.3~3.5V	250MHz	2.6ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7M643635M	NT_FT	2.3~3.5V	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	4Mx18	S7M641835M	NT_FT	2.3~3.5V	133MHz	6.5ns	--	--	100TQFP
72Mb	2Mx36	S7S6436T4M	QDR II+	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418T4M	QDR II+	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436T2M	QDR II+, ODT	1.8V	400,357,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418T2M	QDR II+, ODT	1.8V	400,357,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436T4M	QDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418T4M	QDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	4	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7R643682M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7R641882M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	8Mx9	S7R640982M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7R643684M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7R641884M	QDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7S6436U2M	QDR II+	1.8V	450,400,366	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U2M	QDR II+	1.8V	450,400,366	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7S6436U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7S6418U4M	QDR II+	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7T6436U4M	QDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7T6418U4M	QDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	4	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7I643682M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7I641882M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7I643684M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7I641884M	DDR II	1.8V	333,300,250	--	4	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7J643682M	DDR II, SIO	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7J641882M	DDR II, SIO	1.8V	333,300,250	--	2	1.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7K6436T2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7K6418T2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7K6436U2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7K6418U2M	DDR II+	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7L6436T2M	DDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	2	2	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7L6418T2M	DDR II+, ODT	1.8V	450,400,333	--	2	2	165FBGA
72Mb	2Mx36	S7L6436U2M	DDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA
72Mb	4Mx18	S7L6418U2M	DDR II+, ODT	1.8V	550,450,400	--	2	2.5	165FBGA

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI/VILSION、 JSC(EMLSI)、IPSILOG、BOYA、Everspin 、ISOCOME、 PARAGON、SINOCHIP、UNIIC；著名半导体品牌的专业分销商如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

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2017-07-07 15:24:39

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