
济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的
SRAM。
由于济州半导体出道到SRAM(静态随机存取存储器)和4M SRAM的2001市场,济州半导体持续实施全系列低功耗SRAM产品通过1M、2M、4M至8M SRAM。
济州半导体的SRAM是建立在强大的6晶体管存储单元的技术,可以在非常低的功耗的快速存取时间。济州半导体存储器产品已被公认为最强大的低功耗存储解决方案,可以稳定地运行任何严谨的环境下可以通过移动手机。济州半导体是由世界领先的手机制造商公认的一个最可靠的SRAM制造商。除了手机应用,济州半导体SRAM SRAM提供产品应用在全世界。
Density |
Stack |
Part number |
Vcc |
Speed |
Package Type |
Type |
PDF下载 |
32Gb |
4-stack |
JSMC32DUS1AVAEA-H2 |
3.3V |
HS200 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
TLC |
暂无 |
32Gb |
4-stack |
JSMC32DUD1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
32Gb |
4-stack |
JSMC32DUA1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
16Gb |
2-stack |
JSMC16BUS1AVAEA-H2 |
3.3V |
HS200 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
TLC |
暂无 |
16Gb |
2-stack |
JSMC16BUD1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
16Gb |
2-stack |
JSMC16BUA1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
8Gb |
1-stack |
JSMC08AUS1AVAEA-H2 |
3.3V |
HS200 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
TLC |
暂无 |
8Gb |
1-stack |
JSMC08AUD1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
8Gb |
1-stack |
JSMC08AUA1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |
4Gb |
1-stack |
JSMC04AUM1AVAED-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (8.0mm x 10 mm) |
TLC |
暂无 |
4Gb |
1-stack |
JSMC04AUA1AVAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (8.0mm x 10 mm) |
TLC |
暂无 |
4Gb |
1-stack |
JSMC04AUA1HYAEA-H4 |
3.3V |
HS400 |
153B (11.5mm x 13 mm) |
MLC |
暂无 |