MICROCHIP美国微芯推出业内容量最大、速度最快的四款串行serial SRAM新器件，为其串行SRAM产品线增添了新的产品组合，目前这些串行SRAM是业内首批5V电压工作的产品，于我司其他代理品牌VTI的差别在于电压稍微较大，我司另外代理品牌VTI的串行SRAM工作电压目前为3.3V,品牌VTI的容量可以高达64Mbit，，而且为8引脚的封装8-SOIC设计，更适合体积较小的应用产品，MICROCHIP美国微芯推出的串行SRAM广泛适用于汽车和工业应用。器件可通过四路SPI或SQI™协议可实现高达80 Mbps的速度，为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。
        MICROCHIP美国微芯推出的串行SRAM中其中型号为23LCV512和23LCV1024，可以通过外部电池备份提供无限次耐用性、非易失性RAM低成本低功耗的方案选择，事实上，凭借其40 Mbps的快速双SPI（SDI）吞吐量以及低运行电流和休眠电流，这些串行NVSRAM器件可以高速工作，没有并行NVSRAM高引脚数的缺点，其功耗可媲美FRAM，且价格更为低廉。这将有利于电表、黑匣子及其他数据记录应用，这些应用需要无限耐用性或瞬时写入以及非易失性存储。
 
以下是串行SRAM的型号参考：

BRAND	Density	Part number	Voltage	Speed(MHz)	Temp.-Range	PKG
MICROCHIP	1Mb	23A1024	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mb	23LC1024	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mbit	23LCV1024	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	512Kb	23A512	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kb	23LC512	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kbit	23LCV512	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	256Kb	23A256	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	256Kb	23K256	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23A640	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23K640	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	20	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC

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