一、基本参数与存储特性
  MR25H10CDF该存储器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技术，无需电池备份可永久保存数据。工作电压1.7V - 3.6V，支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适合恶劣嵌入式应用。存储单元基于MTJ原理，有无限次读写寿命（>10¹⁶次），远超EEPROM的10⁶次擦写限制，解决频繁数据更新的存储可靠性问题。

  二、接口与操作性能
  EVERSPIN MR25H10CDF采用SPI串行接口，支持标准、双输出、四输出三种SPI通信模式，最高时钟频率80MHz。随机读取延迟低至25ns，写入无需页缓冲，单字节编程仅需50ns，较Flash缩短99%以上写入等待时间。支持连续读取，单次指令可快速传输多字节数据，最高吞吐量320Mbps（QuadSPI模式），满足实时数据采集的高速存取需求。

  三、封装与应用场景
  提供8引脚SOIC（150mil）和DFN（6×5mm）两种封装，兼容现有SPI存储器PCB布局。典型应用于工业控制、汽车ECU、智能仪表、医疗设备等需高可靠性、低功耗、快速读写的嵌入式系统。较EEPROM，写入速度提升200倍；对比NORFlash，消除擦除延迟，适用于频繁记录日志和动态更新配置参数的场景。

  四、关键优势总结
  1. 性能突破：纳秒级写入与无限次擦写，解决传统存储器性能瓶颈。
  2. 可靠性保障：非易失存储、宽温设计和ESD防护，适应严苛环境。
  3. 低功耗特性：微安级待机电流，延长电池供电设备续航。
  4. 兼容性设计：SPI接口与封装引脚兼容，可直接替换升级。
  5. 成本优化：比FRAM性价比高，提供1Mbit经济方案。
 
  目前，英尚微电子EVERSPIN的MR25H10CDF有现货。该产品属MRAM系列，具备非易失、高速读写、高耐久性等特性，适用于对数据存储可靠性和实时性要求高的领域。有采购需求洽英尚微电子原装正品及技术支持。


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