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技术支持

单片机STM32F407如何外扩SRAM存储器芯片

2017-05-25 11:55:52

在设计的过程中,我们在使用单片机STM32F407如果遇到数据内存不够使用,需要进行外扩SRAM存储器芯片,那应该如何设置,
可以采用IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的SRAM存储器芯片作为存储的外扩芯片,
首先实现 IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。
以上是大概步骤的诠释:
步骤如下:
 
  1. 使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。
 
 在使用FSMC前,我们要先将其时钟开启。然后把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO接口,通通改为复用输出的配置,最后使能各 IO 组的时钟。
 
 使能 FSMC 时钟的方法:
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 设置 FSMC BANK1 区域 3。
 
FSMC BANK1 区域 3已经包括设置区域 3 的SRAM存储器的位宽、工作模式和读写时序等等。我们启动使用模式 A、16 位宽,并让读写共同使用一个时序寄存器。
使用的函数是:
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 区域 3。
 
使用的函数是:
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
 
 
以上三个步骤,我们就完成了对FSMC的配置设置,设置完毕后就可以访问IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF),需要注意的一点,我们选择 BANK1 的区域3使用,因此 HADDR[27:26]=10,而外部内存的首地址设置为 0X68000000。
 
在单片机设计de的过程中我们可以遇到不同容量的型号考虑选择,以下是同类型型号的选择,可以作为参考
Density Org. Part number Speed Package Type Voltage
16Mb x16 EM6168FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6168FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FT8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 5V
4Mb x8 EM641FV8FS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FV8FS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2MB x16 EM620FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-70LF 70ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-45LF 45ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-55LF 55ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-70LF 70ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
 

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
 
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