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Nor Flash发展过程中的问题

2018-04-12 15:12:37

过去一年,Nor Flash的价格飞涨和前景被大众普遍看好,让大家对编码式存储器重燃了信心,包括兆易创新和旺宏在内的众多厂商在去年也从中挣到盘满钵满。在很多人看来,这种略显古老的产片没啥技术含量,但从Nor Flash的发展前景看来,还是面临着各种各样的困难和挑战。
 
                              
 
根据Nor Flash的原理,它是使用CHE来编码,然后使用FN Tunning 来擦除,而电荷注入机制对这两个因素的印象很大,下面分别看一下其考量和解决办法:
 
首先看CEH。据了解,CHE的注入对编码速度和lg有明显的提升,同时能够扩大对离子化率的影响(高横向电场),还能影响收集效率(高垂直电场)。但对CHE来说,如下图所示,影响他们的因素也有很多。
 
因此,可以使用TCAD仿真来模拟CHE注入的影响,提高产品性能。


                                      
                                     

 
介乎Flaoting Gate和Bulk之间的FN Tunning同样也会受到各种因素的影响。
 

                                       
 
这时候使用MLC方案则能完美解决相关问题。
 

                                           
 
对于Nor Flash来说,我们还需要考虑一下可靠性的问题。例如Over-Erase ,比如Nor Disturb,还有隧道氧化和可靠等问题。这就需要一些很好的解决方法。另外,在微缩的过程中,Nor Flash还会面临Random Telegraph Signals Noise (RTN)等问题。
 
由上所述,Nor Flash从设计到生产,再到交付到客户手中,要考虑其合格性、可靠性、保持性,同时还要经过保持特性失效分析。经过以上重重考验的NorFlash才能满用户对使用温度(55度),断电数据保持时间>10年,擦写次数>10万次等多方面的需求。


本文关键词:Nor Flash

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