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中国进入DRAM领域

2018-03-12 15:04:51

中国想进入DRAM市场成为竞争者,但DRAM是一个成熟的竞争市场。在高端市场,三星正在研发18nm的DRAM。
 
但是,中国的DRAM制造商正在开发22nm器件作为起点。IC Insights公司的McClean表示:“这项技术不会接近行业前沿。它有市场, 但很小。”
 
中国可以在DRAM上得到一些助推。政府可以强制要求中国的OEM必须在其系统中采用一定比例的国产DRAM。但McClean表示:“如果你让中国的电子系统生产商使用不具备竞争力的存储技术,那么就会让它们在市场中处于不利地位。”
 
中国的Innotron公司攻坚克难,正准备推出首款22nm移动DRAM。Innotron位于中国东部的安徽省省会合肥市,是由兆易创新和合肥市政府组建的合资企业。
 
据IC Insights称,Innotron将在2018年第一季度将设备移动到一座新的300mm晶圆厂。总投资将达到72亿美元,总产能为125,000 wpm。
 
许多人期待着Innotron能够从兆易创新那里学习到一些先进技术,兆易创新是一家flash存储器无晶圆供应商。前段时间,兆易创新宣布收购专业DRAM制造商芯成半导体有限公司(ISSI)的计划,ISSI由中国的一个投资财团Uphill Investment所拥有。但是兆易创新和ISSI的交易突然终止了。
 
与此同时,在2016年,福建晋华集成电路有限公司(JHICC)在中国南部的福建省晋江市的一座300mm晶圆厂开始动工,耗资达56.5亿美元。JHICC的投资者包括包括福建电子信息公司和晋江能源投资公司。
 
今年第三季度,JHICC计划投产22nm专业DRAM。它从与联电的授权/研发联盟中获得技术。而联电不参与JHICC的运营。
 
但是,JHICC遇到了一些法律问题。据起诉书说,去年12月,美光公司对JHICC和联电提起了诉讼,指控其窃取了美光的技术。随后,在1月份,联电向美光提出了反诉,声称美光侵犯了联电的专利。目前,诉讼仍在进行中。
 
IP问题只是其中一个挑战。在一个艰难的市场中,中国的存储器制造商也面临着激烈的竞争。IC Insights公司的McClean表示:“我认为这可能和中国在代工行业的做法差不多,他们有10%的市场份额。或许中国将获得10%的存储器市场,我不认为会是零。但我认为三星、美光和海力士短期内不会损失大量的市场份额。”



本文关键词:DRAM    晶圆

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