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发改委约谈三星 抑制DRAM再度涨价

2018-02-06 14:30:33

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,因为内存价格持续出现超过6个季度的上涨,导致多家中国智能手机品牌厂不堪成本压力,因此在去年年底,国家发改委约谈三星半导体,因此第一季行动式内存的涨幅有所放缓。据了解,韩国政府近日将携三星电子与国家发改委签署备忘录,内容将包括在半导体领域的相关合作,其中包含扩大在中国投资以及技术合作的可能性。
 
近年来,中国成为内存产品的最大出海口,不管是国内需求或是外销,透过中国所购买的内存比重持续增加,对于中国市场情绪的变化,三星必须给予尊重及反应。因此,DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,此次事件将可能对未来内存产业产生以下两种影响:
 
一、DRAM虽仍呈供货吃紧状态,但未来涨幅将受抑制
 
从DRAM领域来看,现在供货商在生产行动式内存的获利远低于其他类别产品,而受到第一季智能手机市场低迷需求的影响,再加上国家发改委的干预,预期未来价格涨幅将会更加受到控制。预计未来,供货商预期会持续将现有的产能从行动式内存转向更高毛利产品,造成其他类别产品的价格涨幅也进一步收敛。
 
二、供货商为避免价格涨幅过高,新增产能的可能性增加
 
其次,在NAND Flash领域,2018年由于3D NAND Flash的比重持续提高,因此供货吃紧的状态较去年大幅改善。然而,观察DRAM供给,因为现在并未有新增产能贡献位元产出,所有2018年仍会处于供不应求状态。DRAMeXchange分析,为解决中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满,对供货商而言,在涨价受到抑制、成本下降不易的考虑下,新增产能的可能性与时程皆可能转趋积极,透过增加产能来贡献位元产出不仅可以维持价格稳定,也希望藉此维持该企业在DRAM产品的获利水平。


本文关键词:DRAM     NAND Flash

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