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下一代存储技术引起关注

2018-01-30 15:52:52

号称次世代记忆体的产品,在近年终于找到它们可以大展拳脚的市场,包含FRAM(铁电记忆体),MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体),在物联网与智能应用的推动下,终于找到利基市场。
 
首先提及这个话题的,还是台积电。
 
2017年5月,台积电技术长孙元成第一次在其技术论坛上,发表了自行研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取记忆体)和eRRAM(嵌入式电阻式记忆体)技术,分别会在2018和2019年进行风险性试产,且将采用先进的22纳米制程。
 
研发这项技术的目的很明确,就是要实现更高的效能、更低的电耗,以及更小的体积,用来满足未来智能化与万物联网的全方面运算需求。目前三星和英特尔都在研发相关的产品与制程技术。
 
事实上,一个一般的嵌入式设计,其实不用嵌入式记忆体的技术,只需要常规的NOR和NAND Flash记忆体,搭配DRAM就可以了。如果是对于系统的体积与运作效能有更高的要求的,例如智能型手机和高阶的消费性电子,也可以通过使用MCP技术,将为NOR和DRAM,或者NAND和DRAM封装在一个芯片中来达成。
 
如果有较高的资料储存需求,就能够使用eMMC(embedded Multi Media Card)嵌入式记忆体规范技术,运用MCP制程将NAND Flash与控制芯片整合在一个BGA封装里,再搭配DRAM来设计系统。
 
更先进的系统,则可使用eMCP(embedded Multi Chip Package)嵌入式多芯片封装技术,把NAND Flash与DRAM,以及NAND Flash控制芯片封装在一个芯片上,不仅进一步简化电路设计,降低主系统负担,同时也保留了高储存容量的可能性。
 
                                            
                                       图1 : Crossbar是少数具有RRAM商业量产能力的业者,图为其COMS整合技术,能整合逻辑芯片与记忆体。
 
但是,随着网络传输频宽越来越大,智能应用衍生的资料运算与储存需求也随之越来越高,嵌入式系统对于记忆体封装技术的需求也蒸蒸日上,并寻求效能更好的记忆体解决方案。这个时候,新一代的嵌入式记忆体技术与次世代非挥发性记忆体的结合就成了最佳解决方案。


本文关键词:MRAM     DRAM

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