格罗方德透露7 纳米制程最新进展

因竞争对手台积电、三星将在2018年进入7纳米先进制程，因此格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）今年不断地放出自己关于7纳米制程的信息，用来引起业界的关注。近日在2017 年国际电子元件会议（IDEM 2017）上，格罗方德（GlobalFoundries）公布了有关7 纳米制程的详细信息，能效比14纳米工艺降低40%。

据报导，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯。与当今用于IBM Power 服务器芯片、AMD 处理器，以及其他产品的 14 纳米制程产品相比，7 纳米制程在密度、性能与效率方面都明显优于14 纳米制程。

 

格罗方德最新一代的 3D 或 FinFET 电晶体，在 7 纳米制程下具有 30 纳米的鳍间距（导电通道之间的间距）、56 纳米的栅极间距、以及 40 纳米的最小金属间距。此外，7 纳米制程可生产的最小高密度 SRAM 单元尺寸为 0.0269 平方微米。以上公布的这些间距尺寸，与 14 纳米制程相比进步非常大。对此，格罗方德方面表示，其调整了鳍片形状与轮廓以获取最佳性能。不过，格罗方德却拒绝提供有关该翅片宽度与高度的测量资料。

 

而根据格罗方德所公布的这些尺寸，不仅与台积电的 7 纳米制程相似，与英特尔宣称跟其他晶圆代工厂 7 纳米制程同等级的 10 纳米制程来说也非常类似。另一家晶圆代工大厂三星，则将于 2018 年初在国际固态电路研讨会（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技术的 7 纳米制程的详细资讯。

 

格罗方德预计 7 纳米制程能够达成 2.8 倍的电晶体密度提升，并提高 40% 的性能表现，亦或者是在同等性能条件下将功耗降低 55%。另外在高性能版本上，还能够额外提供 10% 的性能提升。

 

本文关键词：SRAM

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