MRAM开启新时代，四大晶圆厂抢先入局

目前根据GlobalFoundries、三星、台积电和联电公布出来的计划预计在今年或者明年开始以嵌入式内存解决方案的形式提供 MRAM，开始提供自旋转移力矩磁阻 RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM，简称 ST-MRAM 或 STT-MRAM)作为 NOR 闪存的替代或 NOR 闪存之外的另一种选择，标志着MRAM正式改变内存市场的格局，因为到目前只有EVERSPIN为各种应用提供商用产品MRAM,包括替换电池供电的SRAM,写缓存等等。
 
STT-MRAM使用电子自旋的磁性来实现芯片的非易失性，从性能来看，既有SRAM的速度，同时兼顾非易失性，更甚于塌近乎无限的耐久性，嵌入式内存IP市场会是STT-MRAM的机会，传统的嵌入内存NOR内存存在较多的问题，如40nm向28nm的工艺设计及以后节点迁移遇到的不可估计的问题，所以STT-MRAM会让这项技术成为先进节点上对传统技术的事实上的替代技术。
 
GlobalFoundries 嵌入式内存副总裁 Dave Eggleston 说道，在针对汽车和安全应用时，嵌入式内存将会是严酷环境中的数据存留之王，那是嵌入式闪存还将继续长寿的领域。但它的扩展性不是很好。随着你下降到 28nm 或更小的节点，嵌入式闪存实际上就成了一个成本高昂的选择。”
STT-MRAM 也恰好为 20 几纳米及以后节点的嵌入式内存应用做好了准备，用于汽车、物联网、消费电子和移动设备的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的机会替代嵌入式闪存，不失为这个行业的一种新的解决方案。

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃