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ReRAM开始进入市场

2017-10-11 14:35:05

电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种还在开发阶段的下一代内存技术。在饱受了多年的磨难之后,这项技术终于开始在市场受到欢迎了。

富士通和松下正在联合加大研发力度,投入开发第二代 ReRAM 器件。另外,Crossbar 正在尝试生产一种 40nm ReRAM 技术,现在是由中国的中芯国际(SMIC)的晶圆厂代工生产。台积电(TSMC)和联电(UMC)也毫不示弱,最近也已经将 ReRAM 纳入了自己的发展计划中来,预计将在明年的时候为自己的客户开发这项技术。

多年以来,人们一直在吹嘘 ReRAM,说它是 NAND 等传统内存技术的替代者,但 ReRAM 的开发难度大到难以想象。并且,NAND 也比之前所预测的发展得更长久,以至于很多公司暂缓甚至放弃了ReRAM的 开发。

然而并不是所有芯片制造商都支持 ReRAM。GlobalFoundries 等一些公司对 ReRAM 技术就没有那么热衷,反而正在开发不同类型的下一代内存技术。

与闪存相比,ReRAM 的优势是读取延迟更低且写入速度更快。在传统内存中,数据以电荷的形式存储。在 ReRAM 中,会有一个电压被应用于一种堆叠的材料,继而导致电阻变化,这种变化可以在内存中记录数据(0 和 1)。

尽管ReRAM具备不少优良属性,但目前为止出货 ReRAM 的公司只有几家。其它公司还在克服困难、迎难而上,因为 ReRAM 技术在物理方面十分困难。而且在一些案例中,ReRAM 的性能和可靠性也没有达到人们的期待值。

ReRAM 不会取代 NAND 或其它内存,但它会找到合适的定位,尤其是在嵌入式内存应用领域。联电嵌入式非易失性内存助理副总裁 Yau Kae Sheu 说:“ReRAM 是一种针对成本敏感型应用的解决方案,比如可穿戴和物联网设备。ReRAM 很适合一些低端的 MCU 和内存密度要求更低的消费级产品。”

但对于未来应用,ReRAM 等一些下一代内存技术的目标是所谓的存储级内存(storage-class memory)市场。多年以来,内存行业一直在寻找一种新的内存类型,即存储级内存。这种内存可以用在系统的主内存(DRAM)和储存器(NAND 闪存)之间,填充这两者之间逐渐变大的延迟差距。

ReRAM 的另一个潜在应用是神经形态计算(neuromorphic computing)。神经形态计算使用了脑启发的计算功能,可用于实现人工智能和机器学习。但是,在 ReRAM 进军这些市场之前,内存行业必须要先小规模地掌控 ReRAM。

本文关键词:ReRAM   MCU

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