MRAM芯片特性

Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。是全球第一家量产MRAM的供货商，并透过持续提升技术与扩展MRAM产品组合来领导业界的发展。Everspin提供市场上最可靠、高效能、且具成本效益的非挥发性随机存取存储器，以协助客户开发独特且极具竞争力的产品 。（ （ Everspin公司是 磁性随机存储器（ （MRAM） ）和 集成磁（ （Integrated Magnetic） ） 产品的全球领导者

主要从事： 磁性随机存储器(MRAM)与传感器的开发和制造工作

目标市场： 储存、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、消费、运输、和航空电子

 

• MRAM读取/写入周期时间：35ns；

• 真正无限次擦除使用；

• 业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性；

• 单芯片最高容量为16Mb；

• 快速、简单接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；

• 具有成本效益----简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元；

• 最佳等级的软错误率----远比其它内存优异；

• 可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；

• 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围；

• 符合RoHS规范：无电池、无铅；

• 小封装：TSOP、VGA、DFN。

 

 

Eversin 的利MRAM是以可在逻上的磁隧道MTJ p 专技术沉积标准辑制程性结储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。此过程能以SRAM的速度完成。

本文关键词：SRAM  EEPROM  MRAM  Everspin

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