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everspin并行MRAM芯片

2018-05-14 15:46:06

    Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年,Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb,16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb,提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样,所有器件可无限次读写。
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
16Mb 1Mx16 MR4A16BYS35 54-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BCYS35 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 1Mx16 MR4A16BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
16Mb 2Mx8 MR4A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

本文关键词:并行MRAM

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