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Everspin Gbit MRAM芯片

2018-05-11 10:45:55

Everspin宣布它正在采样一个Gbit MRAM芯片,并将于今年投入使用,基于其256 Mbit芯片的1-2 Gbyte卡。闪存峰会上的消息标志着一个小型但重要的进步,即在主流NAND市场仍在上升的市场上,不断增加的持续存储器的集合。
 
Everspin希望其产品能够找到用固态硬盘和闪存阵列替代DRAM作为非易失性缓冲区和写入缓存的插座。这些卡将使用特殊的Windows和Linux驱动程序提供高达700万次I / O操作/秒和2微秒的延迟Everspin将以开源形式发布。
 
至少有一家公司将为Everspin的卡片提供第二个来源。该公司表示,该芯片有一位试用客户,希望能在一年内投入生产。
 
英特尔成为第一个在主流存储市场推出新内存芯片的公司,其3DXP现在正在SSD中出货。西部数据在2020年之前承诺了阻性RAM,而Everspin去年年底在Spin Transfer Technologies获得了MRAM竞争对手,Spin Transfer Technologies表示将在明年推出Gbit级产品。
 
“未来,所有的记忆将会持续 - 从现在开始或早些时候可能会有5-7年的时间,但是这是一个期望,一切都是现场和备份的,并且具有最高容量的最高性能的记忆将赢得,”帕特里克帕拉,Everspin营销高级副总裁。

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