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​Everspin的MRAM技术

2018-05-10 10:18:31

Everspin的MRAM技术使用垂直MTJ。该公司开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ堆叠设计,可提供长数据保持率,小单元尺寸,更高密度,高耐用性和低功耗。
除了金融技术等特定行业垂直领域,它们在采用MRAM方面看重价值,Patla表示Everspin目标针对三个存储区:人工智能(AI),边缘计算和数字转换,其中包括数据中心应用。由于MRAM只在读写时使用,因此随着数据中心外处理需求的增加和物联网部署的增长,它非常适合边缘计算环境。
 
Patla表示,价格并不是MRAM采用的关键驱动因素。相反,需要快速持久记忆的特定应用程序正在指导客户的决策。 “人们正在基于价值主张购买,而不是每GB的美元,”他说。
 
目前,Coughlin Associates的创始人Thomas Coughlin表示,MRAM的价格仍然相当高,但它是最有趣的新兴存储技术,因为它的性能接近SRAM和DRAM,其耐久性非常高。 Coughlin表示MRAM对高速缓存的缓存有意义,对于特定的应用,比如用于金融应用的nvNITRO NVMe存储加速器。
 
“快速完成交易很重要,但记录同样重要,”考夫林说,“这是一个有趣的案例研究。时间就是金钱,他们赚的钱比他们花的还多。“
 
考夫林表示,专门的利基市场愿意为MRAM的速度和非波动性的组合支付费用。他指出,Everspin已经出货了超过7000万个单位,并且它与晶圆和嵌入式产品GlobalFoundries的合作关系为增加数量提供了可能性。满足吸引更多音量的利基市场将有助于Everspin的MRAM变得更加主流。 “这就是GlobalFoundries的产品进来的地方,”他说。

本文关键词:everspin

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