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Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM

2018-07-16 14:43:57

Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,没有写入延迟,而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同,这些存储器的读/写操作没有写入延迟。

对于必须通过一小部分I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用,这些Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。此系列MRAM采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装,并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。

MR25H40CDC能够运行于工业级(-40°至+85 °C)并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力,并可以保持数据不丢失20年,已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输领域。

以下是Everspin串口MRAM的型号:

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V -40℃to+85℃
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V -40℃to+85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128APDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128APDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃

本文关键词:Everspin 串行MRAM

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