联系我们
发送邮箱
主页 › 新闻资讯新闻动态 › 并行MRAM的特性介绍

并行MRAM的特性介绍

2018-06-14 14:20:20


MRAM利用电子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存储器。 MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中,以便将RAM的速度与Flash的非易失性相提并论。总部位于亚利桑那州钱德勒的Everspin拥有并运营着一条生产线,用于其磁性后端晶圆加工,采用铸造厂生产的标准CMOS晶圆。Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器(MRAM)的公共半导体公司,其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM),Everspin目前的MRAM产品基于180纳米和130纳米工艺, nm工艺技术节点和行业标准封装。

并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb,16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb,提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样,所有器件可无限次读写。

并行MRAM特性

. 读取/写入周期时间:35ns
. 真正无限次擦除使用
. 业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性
. 可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
. 采用MRAM取代电池供电的SRAM方案,解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题
. 掉电数据自动保护
. 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围
. 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封装
. 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封装(板面积缩小了3倍)
.  16位并行总线接口MRAM


本文关键词:Everspin
 
相关文章: MRAM芯片MR0A16AVMA35


 

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299
 
展开