Everspin 推出4MB 并口MRAM芯片MR2A08AYS35

 

MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超短的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外,与其他存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装（球中心距为0.75mm）。可以与较小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，无需组装电池，也了提高可靠性。

 

MR2A08AYS35典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通以及军用/航空系统。

 

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