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串行PSRAM比SRAM在应用上的优势

2018-01-18 10:19:50

存储器粗略的可以分为

1. 非挥发性存储器,如NAND、NOR Flash,数据在掉电后不会丢失。这类存储器通常速度比较慢,可以做资料和大数据存储。

2. 挥发性存储器,如DRAM、SRAM。它们通常速度较快,但数据在掉电后会丢失,通常被用作程序存储器、数据缓存(buffer)。

3. 新一代的存储器:如ReRAM, MRAM, FRAM等,他们的特点是结合了上述两种存储器的优点:运行速度快,掉电不丢失。目前,他们的一些局限在于容量还不能做得很大,所以还无法实现DRAM或NAND能实现的容量密度;或者再单位bit的成本,还无法与传统存储器竞争。

4. PSRAM:pseudo SRAM,伪SRAM。它具有类SRAM的接口协议:给出地址、读、写命令,就可以实现存取,不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新,因此结口简单;但它的内核是DRAM架构:1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell,而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合,他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。

新的串行pSRAM能有效改善传统随机存取记忆体的问题,并具有以下优点:

1. 更大的带宽:串行PSRAM以八路串行接口之规格,在200MHz Double-data-rate的速率,其数据带宽大于3Gbps。

2. 更高的容量:串行PSRAM容量为64M,比其他现行市面上的串行接口随机存取记忆体的记忆容量大很多。

3. 更低的成本:串行PSRAM採用先进的DRAM技术,有效地压缩芯片体积,故串行PSRAM生产成本接近DRAM成本。

4. 更小的尺寸:串行PSRAM的低引脚数封装与传统随机存取记忆体(RAM)相较之下,更具尺寸小、成本低等优势。

5. 应用介面简单:因为新型的设计技术,串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle),与DRAM需要更新不同,故串行PSRAM介面较传统随机存取记忆体(RAM)更为简单。

串行PSRAM型号参考:

Density Part Number Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit RS6404LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit IPS6404LSQ 3 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit RS6404LSQ 3 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit IPS6404LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQI T 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit IPS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQT 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQCT 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQI 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQC 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC

关键字:串行PSRAM
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