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我国国内晶圆厂未来布局如何发展

2017-03-15 16:18:05

       中国四大重要集成电路产业聚落持续扩充对晶圆厂的投资布局,预计新厂产能将会在2018年底不断开出。拓墣产业研究院认为,2018年底中国厂商的12寸晶圆每月总产能将达36.2万片,是现在产能的1.8倍,到时中国厂商产能占全球12吋晶圆产能比重将上升到6.3%。
      在非存储器(晶圆代工/IDM) 12吋晶圆产能部分,现在主要有4家中国厂释出新增产能的讯息。
    (1)中芯于上海规划新增月产能7万片的14~7nm产能,深圳新增4万片的65~55nm产能。
    (2)华力微于上海规划新增4万片的28~14nm产能。
    (3)德科玛在淮安规划2万片CIS产能。
    (4)紫光计划在成都兴建12寸厂。
     由于自28nm制程起始,晶圆厂必须使用难度较高的多重曝光技术(Multiple Patterning),是先进制程的基本条件,连带牵动先进制程(28nm以下)的发展进程,2016年底中芯28nm营收占比仅有3.5%,显示其制程良率的控制能力稳定性依旧不足,将会影响28nm以下制程进度,2018年底中芯14nm非常有可能会处于试产状态。
      而华力微新厂在2016年底动工,所以就算发展顺利,也要2018下半年才能够进入试产。而紫光虽透露出兴建12寸厂消息,但还没有详细动工时间,估计2018年尚不会有产能释出。
                                                      

       因此2018年中国企业规划的新增产能目标将可能难以实现,预期下修到7.2万片,其中中国厂商的先进制程(28nm含以下)产能约1.2万片,占新增产能近17%,预计2018年中国自主非存储器产能将占全球非存储器产能比重约6.7%。
      存储器部分,共有4座新厂进行投产。
    (1)晋华以25nm制程为目标计划12万片DRAM产能。
    (2)长江存储于武汉规划新建3D NAND晶圆厂,预计于2020年达到月产能30万片。
    (3)长鑫科技于合肥计划月产能达12.5万片存储器芯片产能。
    (4)紫光将于南京建立月产能10万片的晶圆厂,主要生产存储芯片。
      从晶圆厂开工到进行试产一般需要18个月的时间,实际量产时间则是各企业的技术能力及量产经验而定,除了紫光尚未释出实际建厂进度外,晋华在2016年底开始动土,2018下半年才有可能进行试产,除此之外,25nm需用浸润式曝光机(ArF-immersion)和双重曝光技术(Double Patterning),制程难度大大提高,将影响实际产能开出的进度。
    而长鑫的新厂动土时间计划在2017下半年开始,估计2018年底尚不会有产能开出。
    长江存储则正计划发展32层垂直堆叠的3D-NAND,估计2018年底将可问世,估计总产能将达到约50000片。
    因此2018年中国厂商规划的新增产能或将难以达成,预期下修至9万片,估计2018年中国自主存储器产能将占全球存储器产能比重约4.4%。

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