最新公告
伪静态存储器（Parrallel pSRAM）的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。
深圳市芯天下技术有限公司(简称芯天下)成立于2014年，是一家专注于半导体存储PSRAM芯片的半导体高新技术公司。 芯天下扎根中国，专注耕耘自有品牌 （Paragon 芯天下），致力成为中国自主存储芯片方案提供商。
产品包括NAND MCP, SPI NAND,EEPROM,SPI NOR Flash等，主要应用于手机、平板电脑、车载设备、监控、POS机、家电、M2M、数据卡和机顶盒等终端产品上。同时为了顺应市场趋势，满足合作伙伴对产品设计及体验的需求，芯天下也提供客户定制的服务，以SIP等更优化的设计性能提高产品价值。
| Density |
Part Number |
Description |
Package |
Voltage |
Packing |
MPQ(Units) |
Quantity |
State |
Delivery date |
PDF下载 |
| 64Mbit |
XT18Q64ASOIGU |
1.8V Serial PSRAM |
SO8 150mil |
1.62~1.98V |
Tube |
1000 |
20000 |
MP |
12W |
暂无 |
