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        eMMC的设计概念,就是为了简化手机内存储器的使用,将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片,手机客户只需要采购eMMC芯片,放进新手机中,不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题,最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本,加速产品的推陈出新速度。
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的SRAM
由于济州半导体出道到SRAM(静态随机存取存储器)和4M SRAM的2001市场,济州半导体持续实施全系列低功耗SRAM产品通过1M、2M、4M至8M SRAM。
济州半导体的SRAM是建立在强大的6晶体管存储单元的技术,可以在非常低的功耗的快速存取时间。济州半导体存储器产品已被公认为最强大的低功耗存储解决方案,可以稳定地运行任何严谨的环境下可以通过移动手机。济州半导体是由世界领先的手机制造商公认的一个最可靠的SRAM制造商。除了手机应用,济州半导体SRAM SRAM提供产品应用在全世界。
Density Stack Part number Vcc Speed Package Type Type PDF下载
32Gb 4-stack JSMC32DUS1AVAEA-H2 3.3V HS200 153B (11.5mm x 13 mm) TLC 暂无
32Gb 4-stack JSMC32DUD1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
32Gb 4-stack JSMC32DUA1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
16Gb 2-stack JSMC16BUS1AVAEA-H2 3.3V HS200 153B (11.5mm x 13 mm) TLC 暂无
16Gb 2-stack JSMC16BUD1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
16Gb 2-stack JSMC16BUA1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
8Gb 1-stack JSMC08AUS1AVAEA-H2 3.3V HS200 153B (11.5mm x 13 mm) TLC 暂无
8Gb 1-stack JSMC08AUD1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
8Gb 1-stack JSMC08AUA1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
4Gb 1-stack JSMC04AUM1AVAED-H4 3.3V HS400 153B (8.0mm x 10 mm) TLC 暂无
4Gb 1-stack JSMC04AUA1AVAEA-H4 3.3V HS400 153B (8.0mm x 10 mm) TLC 暂无
4Gb 1-stack JSMC04AUA1HYAEA-H4 3.3V HS400 153B (11.5mm x 13 mm) MLC 暂无
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