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主页 › 产品中心FlashNand FlashISSI
        Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
ISSIISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储SRAM半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。
      公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
Den Bus Width Part Number Vcc Ecc Requirement Squential Read Speed (ns) Temp.Range Package Type PDF下载
4Gb X8 IS34ML04G081 3.3V 1-bit 25 -40°C~85°C 48-TSOP 暂无
4Gb X8 IS34ML04G084 3.3V 4-bit 25 -40°C~85°C 48-TSOP 暂无
4Gb X8 IS34MW04G084 1.8V 4-bit 45 -40°C~85°C 48-TSOP 暂无
4Gb X16 IS34MW04G164 1.8V 4-bit 45 -40°C~85°C 48-TSOP 暂无
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