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​      伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
JSCJSC济州半导体致力于PSRAM芯片领域,并成为了全球半导体PSRAM存储芯片领域解决方案供应商之一。
由于济州半导体出道到SRAM(静态随机存取存储器)和4M SRAM的2001市场,济州半导体持续实施全系列低功耗SRAM产品通过1M、2M、4M至8M SRAM,也包括8M至64M的PSRAM存储芯片产品,产品线主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片、NAND FLASH组成。

Density Part number Voltage Max Speed DPD mode Pacakge Type Product Description PDF下载
64Mb EM7644SU16ASZP-70LF 3.0V 70ns -- 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
32Mb EM7324SP16BLP-70LFx 1.8v 70ns o 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
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32Mb JS7324SU16BN 3.0V 70ns O KGD De-Mux Async. pSRAM 暂无
32Mb EM784SP16BPP-70LF 1.8V 133MHz -- PKG DE-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb EM7164SP16BLP-70LFx 1.8v 70ns O 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb EM7164SP16BMP-70LFx 1.8v 70ns x 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
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16Mb EM7164SP16BSP-70LFx 1.8v 70ns x 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb JS7164SV16BLY-70LFI 3V 70ns x -- De-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb JS7164SU16BSP-70LFI 3V 70ns X -- De-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb EM784SU16ASP-70LF 3.0V 70ns -- PKG De-Mux Async. pSRAM 暂无
16Mb EM784SU16ANP-70LF 3.0V 70ns -- PKG De-Mux Async. pSRAM 暂无
8Mb EM784SP16BLP-70LFx 1.8v 70ns X 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
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8Mb JS784SV16BLY-70LFI 3V 70ns X 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
8Mb JS784SU16BSP-70LFI 1.8v 70ns X 48B FBGA 6x7mm De-Mux Async. pSRAM 暂无
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